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与金属相比，纯半导体是相对较好的绝缘体，尽管不如玻璃那样真正的绝缘体。 为了在半导体应用中有用，本征半导体（纯无掺杂半导体）在100亿个半导体原子中必须具有不超过一个杂质原子。 这类似于糖的铁路棚车中的一粒盐杂质。 不纯或不干净的半导体导电性要好得多，尽管不如金属。 为什么会这样呢？ 为了回答这个问题，我们必须在下图中查看此类材料的电子结构。
电子结构下图（a）显示半导体的价壳中的四个电子与其他四个原子形成共价键。 这是上图的扁平化，易于绘制的版本。 原子的所有电子都束缚在四个共价键上，成对共享电子。 电子不能自由地在晶格周围移动。 因此，与金属相比，本征，纯净的半导体是相对较好的绝缘体。
（a）本征半导体是具有完整电子壳的绝缘体。 （b）但是，热能可以产生很少的电子-空穴对，从而导致较弱的传导。
如上图（b）所示，热能有时可能会使电子从晶格中释放出来。该电子自由地围绕晶格传导。当电子被释放时，它在被称为空穴的晶格中留下带正电荷的空位。这个孔没有固定在晶格上。但是，可以随意走动。自由电子和空穴都有助于围绕晶格的传导。即，电子是自由的，直到它落入空穴。这称为重组。如果将外部电场施加到半导体，则电子和空穴将沿相反的方向传导。温度升高将增加电子和空穴的数量，从而降低电阻。这与金属相反，金属通过增加电子与晶格的碰撞，电阻随温度而增加。本征半导体中的电子和空穴的数量相等。但是，在施加外场的情况下，两个载体不一定以相同的速度运动。另一种说法是电子和空穴的迁移率不同。
半导体杂质单纯的半导体本身并不是特别有用。但是，在添加特定杂质之前，必须将半导体提炼至高纯度作为起点。
纯度为100亿分之一的半导体材料，可能会添加特定杂质，每1000万分之1左右，以增加载流子的数量。向半导体中添加所需的杂质被称为掺杂。掺杂增加了半导体的导电性，因此与绝缘体相比，它与金属更具有可比性。
通过掺杂像磷这样的电子给体，可以增加半导体晶格内负电荷载流子的数量。电子给体，也称为N型掺杂剂，包括元素周期表VA组的元素：氮，磷，砷和锑。氮和磷是金刚石的N型掺杂剂。磷，砷和锑与硅一起使用。
下图（b）中的晶格包含在外壳中具有四个电子的原子，与相邻原子形成四个共价键。这是预期的晶格。与硅原子相比，在外壳中添加具有五个电子的磷原子会将额外的电子引入晶格。五价杂质与五个电子中的四个形成四个硅原子上的四个共价键，并与一个电子相交而进入晶格。注意，该备用电子没有像普通Si原子的电子那样牢固地键合到晶格上。它可以自由地绕晶格移动，而不受磷晶格位置的约束。由于我们在1000万个硅原子中掺杂了一部分磷，因此与众多硅原子相比，生成的自由电子很少。但是，与本征硅中较少的电子-空穴对相比，产生了许多电子。施加外部电场会在导带（价带以上）中在掺杂半导体中产生强导通。较高的掺杂水平会产生较强的导电性。因此，导电性差的本征半导体已转变为良好的电导体。
（a）供体N型磷，硅（供参考）和受体P型硼的外壳电子构型。 （b）N型施主杂质产生自由电子（c）P型受主杂质产生空穴，即正电荷载流子。
与硅相比，还可以引入缺少电子的杂质，在价壳中具有三个电子，而硅具有四个电子。在上图（c）中，这留下了一个空洞，称为空穴，即正电荷载体。硼原子试图与四个硅原子键合，但在价带中只有三个电子。在试图形成四个共价键时，三个电子四处移动以试图形成四个键。这会使空穴看起来移动。此外，三价原子可以从相邻的（或更远的）硅原子借用电子以形成四个共价键。然而，这留下了一个电子不足的硅原子。换句话说，空穴已经移动到相邻的（或更远的）硅原子。空穴位于价带中，在导带以下。掺杂电子受体（可以接受电子的原子）会产生电子缺陷，这与空穴过多相同。由于空穴是正电荷载流子，因此电子受体掺杂剂也称为P型掺杂剂。 P型掺杂剂会给半导体留下过多的空穴，即正电荷载流子。元素周期表第IIIA族的P型元素包括硼，铝，镓和铟。硼用作硅和金刚石半导体的P型掺杂剂，而铟与锗一起使用。
下图中类似于电子传导的“管中的大理石”将空穴的运动与电子的运动联系起来。大理石代表导体（管）中的电子。电子在导线或N型半导体中从左向右移动的原因是，电子从左侧进入电子管，迫使右侧电子离开。 N型电子的传导发生在导带中。将其与价带中空穴的运动进行比较。
为了使空穴进入图（b）左侧，必须除去电子。从左向右移动空穴时，电子必须从右向左移动。第一电子从管子的左端射出，因此空穴可以向右移入管子。电子沿正空穴的相反方向移动。随着空穴向右移动，电子必须向左移动以容纳空穴。由于P型掺杂，在价带中不存在电子的空穴。它具有局部正电荷。为了沿给定方向移动空穴，价电子沿相反方向移动。
N型半导体中的电子流动类似于在金属丝中移动的电子。 N型掺杂原子将产生可用于传导的电子。这些电子由于掺杂剂而被称为多数载流子，因为与很少的热空穴相比，它们占多数。如果在下图（a）中的N型半导体条上施加电场，则电子将进入条的负（左）端，横穿晶格，并在右边向（+）电池端子出射。
（a）一种n型半导体，其中的电子通过晶格左右移动。 （b）具有左向右移动的空穴的p型半导体，它对应于沿相反方向移动的电子。
P型半导体中的电流很难解释。 P型掺杂剂（一种电子受体）会产生带正电荷的局部区域，称为空穴。 P型半导体中的多数载流子是空穴。尽管空穴在三价掺杂原子位置形成，但它们可能会在半导体棒周围移动。请注意，上图（b）中的电池是与（a）相反的电池。电池正极端子连接到P型条的左端。电子流通过P型条从电池负极端子流出，返回到电池正极端子。离开半导体棒正极（正极）到电池正极端子的电子会在半导体中留下一个孔，该孔可能会向右移动。孔从左到右穿过晶格。在条的负端，来自电池的电子与一个孔结合，将其中和。这为在杆的正端向右移动的另一个孔留出了空间。请记住，当空穴从左向右移动时，实际上是电子朝相反的方向运动，这导致了明显的空穴运动。
用于生产半导体的元素下图总结了用于生产半导体的元素。如今，最有限的IVA大块半导体材料锗仅在有限的范围内使用。硅基半导体约占所有半导体商业化生产的90％。金刚石基半导体是目前具有巨大潜力的研发活动。未列出的化合物半导体包括硅锗（硅晶片上的薄层），碳化硅和III-V化合物，例如砷化镓。 III-VI族化合物半导体包括AlN，GaN，InN，AlP，AlAs，AlSb，GaP，GaAs，GaSb，InP，InAs，InSb，AlxGa1-xAs和InxGa1-xAs。周期表的第II列和第VI列（图中未显示）也形成化合物半导体。
IIIA族P型掺杂剂，IV族基础半导体材料和VA N型掺杂剂。
上图中包含IIIA和VA组的主要原因是为了显示与IVA组半导体一起使用的掺杂剂。 IIIA族元素是受体（P型掺杂剂），它们接受在晶格中留有空穴的电子，即正载流子。 硼是金刚石的P型掺杂剂，也是硅半导体最常见的掺杂剂。 铟是锗的P型掺杂剂。
VA族元素是供体，N型掺杂剂，产生自由电子。 氮和磷是适用于金刚石的N型掺杂剂。 磷和砷是硅中最常用的N型掺杂剂。 但是，可以使用锑。
结论本征半导体材料，纯度至100亿分之一。
N型半导体掺杂有五价杂质以产生自由电子。 这种材料是导电的。 电子是多数载流子。
掺杂有三价杂质的P型半导体具有大量的空洞。 这些是正电荷载体。 P型材料是导电的。 孔是多数载体。
大多数半导体基于元素周期表中IVA组的元素，硅是最普遍的元素。 锗几乎已经过时了。 碳（金刚石）正在开发中。
诸如碳化硅（IVA族）和砷化镓（III-V族）的化合物半导体被广泛使用。
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