据报道，上海微电子正致力于研发28纳米浸没式光刻机，预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。此前，国家知识产权局公布了一项华为新的专利“反射镜、光刻装置及其控制方法”，在极紫外线光刻机核心技术上取得突破性进展。
随着国际形势的不确定性日益增加，国产化成为了核心硬科技发展的必然趋势。光刻机作为现代半导体工业的基础设施，其国产化突破将进一步带动整个产业链的发展，其中上游光学元器件意义重大，市场空间广阔，建议重点关注具有核心技术壁垒的光学产业链公司。
光大证券此前指出，上海微电子是大陆光刻机进展最快的厂商，但是在技术层面，上海微电子的IC前道光刻机与国际先进水平差距仍较大。ASML的EUV 3400B制程节点可达到5nm。这也使得在IC前道光刻机市场，国产化率较低，国内的IC前道光刻机市场主要被ASML、Nikon和Canon瓜分。该机构建议关注福晶科技、福光股份、腾景科技、茂莱光学、炬光科技、苏大维格、富创精密、奥普光电、赛微电子等。
