国产光刻机被清华攻克了！光刻机变成光刻厂！什么巨型光刻机整体秒杀全都要，什么1nm 2nm 3nm 轮番轰炸，一束光全都搞定？
对于国外卡脖子的光刻机将实现颠覆性的超越！ 国货之光，该火到光刻机了吗？ 欧美还在疑问中国的光刻机啥时候能够赶上？
我们这边直接换赛道超过你！ 这创新力ASML老总就想的很明白，他说“不要妄想能够围堵住中国的创造力！”
网友依此技术想象的
最近清华大学的一项研究论文火了，说的是研究出新型SSMB- EUV光刻机技术升级为了光刻厂技术，同时带火的还有这个圆鼓楞登的大圆球建筑，看起来是个修正带的外形有没有？网传清华大学的光刻厂就在这里。 但其实这两个不是一个东西。 清华大学的SSMB- EUV光刻技术还没有建造， 但也不是仅仅停留在PPT上的理论和概念，而是目前已经处于验证过的实验结论。另外网上流传的该项目将要落地雄安新区建设厂，确有其事。 项目应该在稳步推进中。
清华大学的SSMB- EUV光刻技术 论文（部分）
高能同步辐射光源（HEPS）
建厂预计还要几年之后，能够啥时候把实验验证理论真正的落地成光刻机制造高端芯片还为时尚早。不过大方向是对，科研也不是一蹴而就。 就像我国的人造小太阳，是不是就不断的出现了新的进展一样，尽管核聚变总被说距离实现还有30年，但是目前相关人士已经表示会在2050年左右实现核聚变商用化，还是非常值得期待的！
中国“人造太阳”
那么这个圆鼓楞登的大圆球建筑是目前在北京怀柔区正在建造的我国第一台高能同步辐射光源（HEPS）也是世界上亮度最高的第四代同步辐射光源之一，建成后将成为世界最先进的X射线光子科学研究平台之一。 预计将要在2025年进行正式运营， 目前还处在工程调试阶段。
所以说清华大学EUV光刻机技术在论文的模型是像体育场跑道的椭圆形和这个圆形建筑是两种东西。 但是这两个都是当今世界上的顶尖级科技项目之一！
清华大学的这篇论文《稳态微聚束加速器光源》是在2022年2月15日发表于《自然》杂志上。作为新一代加速器光源，稳态微聚束steady -statemicrobunching, SSMB原理下，能产生高功率 高重频的相干光， 波长可以覆盖太赫兹到极紫外波段，提出了一种全新的芯片制造方法，颠覆了传统光刻技术的局限性，属于未来芯片制造技术的创新性技术。 这就是网友传的把光刻机变成了光刻厂。
清华大学论文
实验项目怎么理解呢？
研究团队利用波长1064纳米的激光操控位于柏林的储存环MLS内的电子束，使电子束绕环一个周长48米的圈跑一趟，形成精细的微结构，就是微聚束。微聚束会在激光波长及其高次谐波上辐射出高强度的窄带宽相干光，实验是通过探测该辐射来验证微聚束的形成。
微聚束的形成，证明了电子的光学相位能以短于激光波长的精度逐圈关联起来，使得电子可被稳态地束缚在激光形成的光学势井中，就形成了稳态微聚束。产生的波长可以覆盖太赫兹到极紫外波段，这就能够满足各种芯片制程的光源。这个是网友形象的描述出来的，就是你想要什么光源都可以有，按照生产线布置各个芯片制程的厂房，需要的光源进来就可以了，而不是像现在的光刻机，一台机器中只能产生一种光源。
就拿现在最先进的只有荷兰ASML才拥有的EUV光刻机，相当于用波长只有万分之一头发直径的极紫外光，在晶圆上“雕刻”电路，能在指甲盖大小的芯片上弄出来上百亿个晶体管，这种设备工艺可以说是目前人类在该领域的顶级水平。 这也是人家能垄断的原因，想卖多少钱卖多少， 想不卖就不卖了。
荷兰ASML
光刻机的是否先进，要看光源是否是大功率并且非常稳定。 大功率的EUV光源是EUV光刻机的核心基础。目前ASML公司采用的是高能脉冲激光轰击液态锡靶，形成等离子体然后产生波长13.5纳米的EUV光源，功率约250瓦。想要继续制造更先进的制程，就需要把EUV光源功率在稳态中持续增加，甚至达到千瓦量级。
而清华大学的SSMB技术加速器光源，未来是能够达到一个稳态的高功率光源。 甚至可以将电子加速到接近光速，产生波长短 功率大的光源来提升芯片的制程，可以说是一种全新的制造工艺。
SSMB技术加速器光源理论
这也是为什么成为最近的热点的原因，因为我们能够看到稳态微聚束加速器光源的技术可以带来非常广泛并且令人兴奋的科技进步的方向。 但是从实验理论变成现实还有非常多技术需要攻关，一旦突破，我国的芯片制造水平将会站在世界巅峰。 到时候就不是ASML一手指天的时代了。 同时作为全球唯一全产业链的国家， 我们的光刻厂一旦建成也不需要设备出口， 生产的芯片自用和出口就可以了。 所以对设备的小型化不在考虑范畴。
说到光源一个是最近我国在太赫兹技术方面取得非常大的进展， 可以进行潜艇摸鱼。使得全球的型号潜艇都没有地方躲了。
另外就是跟清华SSMB技术混淆在一起的高能同步辐射光源（HEPS）也是非常先进的技术，又是什么呢？下一期继续。
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