芯片是怎样“炼”成的?

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发布时间:2023-12-10 14:57

1958 年,德州仪器的工程师基尔比发明了世界上第一块集成电路,谁都没想到,这之后的 60 多年里,集成电路在消费类电子、汽车乃至国防军工领域,发挥着无可替代的作用。

这所说的 " 集成电路 ",你可以理解为芯片。狭义上,集成电路和芯片有一定区别,集成电路更多是指各种元器件互联成的电路,而芯片是集成电路的载体,但现在大家基本已经不作区分。

有人说,芯片是轮子之后人类最重要的发明,那你们知道芯片是怎么制造出来的吗?为什么拇指大小的芯片可以集成数公里的导线和上亿根的晶体管?

这些问题也是我们制作本期内容的出发点。

世界上第一块集成电路;图片来源:华盛顿邮报

芯片制造,说白了就是在晶圆上刻电路,然后切割并封装成产品的过程。首先是晶圆,以目前使用量占据主导地位的硅基(Si)晶圆来说,富含二氧化硅的石英砂是主要的原材料。

所以芯片脱胎于沙子的说法,其实有一定道理。

接下来是提纯,提纯分两步走:加碳,在高温条件下将二氧化硅还原成粗硅,也就是含有一定杂质的多晶硅;然后进一步提纯得到高纯多晶硅。这里常采用的方法有三氯氢硅氢还原法和硅烷热分解法。

当然,高纯多晶硅还不是终点,还需要利用直拉法或者区熔法来制备单晶硅棒。

相比之下,直拉法更容易生长出大直径的单晶硅,这也是行业普遍采用的单晶生产工艺。最后,把单晶硅切割成一片片晶圆,经过打磨、抛光、清洗等一系列步骤,就可以进行后面的步骤了。 

图片来源:环球晶

这里有一个知识点,当前晶圆尺寸主要以 200mm(  8 英寸)和 300mm(12 英寸)为主。以 12 英寸晶圆为例,一片大约可以加工 700~10,000 颗芯片。晶圆直径加大,可以制造的芯片数量随之增加,最终单颗芯片的成本理论上也会降低。

不过,硅晶圆的市场高度集中,光是日本的信越化学和胜高、台湾省的环球晶等五大厂商在全球的市场份额就达到了八、九成。

还不止这样。电阻率、氧浓度、碳浓度、径向均匀性等等在内的参数都会影响晶圆的最终品质,进而决定芯片的性能。所以要做好晶圆并没能那么容易。

现在大家都在说碳化硅,就以碳化硅衬底的晶圆来看,尺寸越大,加工难度会越高,因为材料的关系,不仅衬底生长难,做外延也难。

尽管如此,我们能看到的是,整个行业都在积极提升良率,加大汽车端的应用。

图片来源:DRex Electronics

回归正题,一颗芯片到底是怎样 " 炼 " 成的呢?

芯片制造的过程就如盖房子、盖高楼大厦,里面一根根的晶体管,层层堆叠的结构就像搭基建,纵横交错的电路连线则是负责各类元器件通信联络的桥梁。

高倍显微镜下,你甚至能观察到更复杂更精密的布局,感兴趣的朋友可以试一试。那话不多说,我们一起来看看芯片到底是怎么制造出来的。

当芯片设计工程师把电路图设计好,晶圆厂或者掩膜厂把线路图刻在掩膜版上后,芯片制造的正式流程就开始了。

首先,为了让晶圆更稳定并且绝缘,需要通过氧化工艺在其表面生成一层保护膜,也就是二氧化硅(SiO2)。光刻是芯片制造的核心,这个过程就基于这层膜展开。

之后,在晶圆上涂上光刻胶,放入光刻机内,光源透过掩膜照射光刻胶,经过曝光的光刻胶会因为光溶解作用而断裂变软,再经过显影液溶解被清除,而没有曝光的部分会留下和掩膜版一致的图形。

你可以想象成是胶片相机的工作原理,目的是把掩膜版上的线路图形转印到晶圆上。

图片来源:SK 海力士

这里是以正光刻胶——也是先进芯片制造常用的光刻胶为例。顾名思义,负光刻胶是曝光的那部分留下,没有被曝光的光刻胶溶解。

光刻胶是光刻工艺中最重要的材料,它对光源的敏感度、对晶圆的黏附性,以及本身的对比度、抗蚀性、纯度等都是影响光刻的性能指标。但可能比起这个,大家关注更多的还是光刻机。

光刻机是光刻工艺要用到的主要设备之一,它的分辨率决定了在晶圆上转印电路图形的最小尺寸。换句话说,分辨率越高,越容易刻出更精细的电路,芯片所能集成的晶体管数量就会越多。

举个例子,7nm 及以下先进芯片要用到的极紫外(EUV)光刻机,就是通过缩短曝光光源的波长,提高光能,进而提高分辨率,实现精细绘图。这样的一台设备价值高达上亿美元。

图片来源:ASML

可能有人会说,7nm 芯片不用 EUV 光刻机,浸没式光刻机多重曝光后也能够制造出来。但别忘了,时间、成本以及误差都会大大增加。何况 7nm 还是芯片制造工艺的终点。

而在这些步骤之后,再用刻蚀工艺将晶圆上多余的材料清除,得到所需的 3D 电路图。

同时经过掺杂,对晶圆衬底   局部注入硼离子、磷离子、砷离子等,改变晶体管的半导体特性。最后焊接连接起各个元器件,形成真正的电路。

刻蚀过程就像用模具印出想要的饼干;图片来源:SK 海力士

当然,芯片发展到现在,已经从一层楼升级到多层。而要实现多层结构,还有一个关键的工艺步骤要做——那就是薄膜沉积。

在晶圆表面不断沉积厚度小于 1 μ m 的超薄薄膜,重复光刻   刻蚀,最终就能形成预先设计的 3D 结构。薄膜覆盖的均匀性会直接影响到线路图形的精度。

可以说,每一个步骤都是听起来简单,实际的技术壁垒其实很高。

这里提到的也只是芯片制造的前道工艺,后道还有封装和测试。芯片制造的整个过程要经过数以百计数以千计的工艺步骤,要真正搞懂,还需要不断学习。

那本期内容就先到这里,下期见!