三星正在试产第二代 3nm 工艺，SF3 预计今年晚些时候全面投产

三星在 2022 年 6 月量产了 SF3E（3nm GAA），引入全新的 GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。今年三星计划带来名为 SF3（3GAP）的第二代 3nm 工艺技术，将使用 " 第二代多桥 - 通道场效应晶体管（MBCFET）"，在原有的 SF3E 基础上做进一步的优化，之后还会有性能增强型的 SF3P（3GAP+），更适合制造高性能芯片。

据相关媒体报道，三星已开始采用第二代 3nm 工艺进行芯片的试产，还会测试芯片的性能和可靠性，目标是为了六个月内将良品率提升至 60% 以上，下半年能实现量产。对于三星和整个行业来说，这都是一件大事。凭借 SF3，三星希望 2024 年有机会与台积电（TSMC）的先进工艺展开竞争。

有消息称，三星计划将 SF3 首先用于一款可穿戴设备所使用的芯片上，或许是 Galaxy Watch 7 所搭载的芯片。此外，三星还计划在明年 Galaxy S25 系列智能手机所采用的 Exynos 2500 上，采用 SF3 制造。在三星看来，新的 SF3 可以使用不同宽度的 MBCFET 器件，从而提供了更大的设计灵活性。

目前三星还在改进其 4nm 工艺，除了投产的 SF4P（4LPP+），还计划推出用于高性能 CPU 和 GPU 的 SF4X（4HPC），不过届时台积电也会带来名为 N3P 的增强型 3nm 工艺。